[发明专利]选择外延生长应变测量方法及量子阱激光器制作方法及量子阱激光器有效
| 申请号： | 201910941392.4 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110854679B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 陈志标 | 申请（专利权）人： | 武汉云岭光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;G01B15/06 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 代婵 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种选择外延生长应变测量方法，包括如下步骤：1）在衬底上形成掩膜，在带有掩膜的衬底上选择外延生长材料；2）将选择外延生长区域以外的所有外延材料去除，将掩膜材料去除，仅仅剩下选择外延生长区域的材料；3）测量衬底上材料的应变，测量的应变为选择外延区域材料的应变。同时，提出一种利用该方法的选择外延生长量子阱激光器制作方法以及量子阱激光器。该方法能精确测量选择外延导致的应变的变化，从而为选择外延生长材料的表征提供一种低成本且精确的方法。且制作的量子阱激光器的性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 选择 外延 生长 应变 测量方法 量子 激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉云岭光电有限公司，未经武汉云岭光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910941392.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多类别服务系统以及方法
- 下一篇：一种光学玻璃
