[发明专利]选择外延生长应变测量方法及量子阱激光器制作方法及量子阱激光器

权利要求书

1.一种选择外延生长应变测量方法，其特征在于,包括如下步骤：

1）在衬底上形成长条形掩膜，在带有掩膜的衬底上选择外延生长材料；掩膜覆盖的区域没有外延材料沉积，无掩膜覆盖的区域为正常的外延材料生长区域；每对长条形掩膜平行间隔设置，每对长条形掩膜之间的间隙区为选择外延生长区域，在每对长条形掩膜之间的间隙区即选择外延生长区域的生长速率高于无掩膜覆盖的平面区域的生长速率；

2）将选择外延生长区域以外的所有外延材料去除，将掩膜材料去除，仅仅剩下选择外延生长区域的材料；

3）测量衬底上材料的应变，测量的应变为选择外延区域材料的应变。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3）通过X-ray衍射方法测量应变。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：通过光刻工艺将选择外延生长区域以外的所有外延材料去除，将掩膜材料去除，仅仅剩下选择外延生长区域的材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：掩膜材料采用SiO₂。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在半导体衬底上形成多对长条形掩膜。

6.一种选择外延生长量子阱激光器制作方法，其特征在于,包括如下步骤：

1）利用权利要求1至5任一所述的方法测量下波导层材料的应变，设为ε；

2）在半导体衬底上形成掩膜，在衬底上依次生长与衬底匹配的缓冲层、下波导层、量子阱层以及上波导层；

生长下波导层，包括：生长应变量为-ε的应变补偿下波导层；

生长上波导层，包括：生长应变量为-ε的应变补偿上波导层；

通过预先加入一个相反的应变补偿选择外延导致的应变，从而使得上下波导层的实际应变为零；

3）去掉掩膜层，生长激光器的其他层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：生长量子阱层，包括：生长应变量相对设计应变值增加-ε的量子阱层。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：掩膜材料采用SiO₂。

9.一种量子阱激光器，其特征在于:采用权利要求6所述的方法制作而成。