[发明专利]一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201910941003.8 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110660654B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 柯少颖;陈松岩;黄东林;周锦荣 | 申请（专利权）人： | 闽南师范大学;厦门大学 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/306 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 修斯文;蔡学俊 |
| 地址： | 363000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法，其是将Ge片和SOI片经表面处理后，分别在其上溅射一层a‑Ge薄膜，然后在大气中将两者进行贴合，放入退火炉中进行低温热退火，以实现高强度Ge/SOI的键合，再采用化学腐蚀结合化学机械抛光对键合的Ge片进行减薄抛光，以获得超高质量SOI基键合Ge薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 质量 soi 基键合 ge 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n1）将Ge片和SOI片分别进行表面处理后，用涂胶机甩干，然后放入磁控溅射系统中，待溅射室本底真空度小于1×10
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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