[发明专利]碲镉汞钝化膜层工艺参数确定方法及装置在审
| 申请号： | 201910933839.3 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660697A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 祁娇娇;宁提;谭振 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 11010 工业和信息化部电子专利中心 | 代理人： | 秦莹 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碲镉汞钝化膜层工艺参数确定方法及装置，所述方法包括：分别将膜层沉积系统的各工艺参数作为唯一变量，在衬底溅射一层或多层化学膜层；对所述化学膜层进行折射率测试，获取所述化学膜层的折射率随各工艺参数的变化曲线，并根据所述变化曲线获取所述化学膜层的折射率最大点对应的各个工艺参数的数值；将所述数值作为膜层沉积系统沉积所述化学膜层时的工艺参数。 | ||
| 搜索关键词： | 化学膜 变化曲线 膜层沉积 折射率 工艺参数确定 折射率测试 钝化膜层 唯一变量 最大点 碲镉汞 沉积 衬底 多层 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种碲镉汞钝化膜层工艺参数确定方法，其特征在于，包括：/n分别将膜层沉积系统的各工艺参数作为唯一变量，在衬底溅射一层或多层化学膜层；/n对所述化学膜层进行折射率测试，获取所述化学膜层的折射率随各工艺参数的变化曲线，并根据所述变化曲线获取所述化学膜层的折射率最大点对应的各个工艺参数的数值；/n将所述数值作为膜层沉积系统沉积所述化学膜层时的工艺参数。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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