[发明专利]碲镉汞钝化膜层工艺参数确定方法及装置

说明书

本发明公开了一种碲镉汞钝化膜层工艺参数确定方法及装置，所述方法包括：分别将膜层沉积系统的各工艺参数作为唯一变量，在衬底溅射一层或多层化学膜层；对所述化学膜层进行折射率测试，获取所述化学膜层的折射率随各工艺参数的变化曲线，并根据所述变化曲线获取所述化学膜层的折射率最大点对应的各个工艺参数的数值；将所述数值作为膜层沉积系统沉积所述化学膜层时的工艺参数。

技术领域

本发明涉及红外探测器器件领域，尤其涉及一种碲镉汞钝化膜层工艺参数确定方法及装置。

背景技术

碲镉汞红外探测器在制备过程中，材料表面钝化多采用CdTe/ZnS双层膜体系，对材料表面起到掩膜、保护和遮蔽的作用。目前CdTe/ZnS可以使用磁控溅射、阳极氧化、蒸发等方式沉积，钝化层质量对器件的表面漏电等电学性能具有直接的影响作用。

对于钝化层的质量，碲镉汞生产线一直未有直接的评价标准，为了能够直接便捷的指导工艺，急需对碲镉汞表面的钝化层建立评价体系。并且根据该评价方法指导磁控溅射系统的工艺参数的设置。

发明内容

本发明实施例提供一种碲镉汞钝化膜层工艺参数确定方法及装置，用以解决现有技术中的上述问题。

本发明实施例提供一种碲镉汞钝化膜层工艺参数确定方法，包括：

分别将膜层沉积系统的各工艺参数作为唯一变量，在衬底溅射一层或多层化学膜层；

对所述化学膜层进行折射率测试，获取所述化学膜层的折射率随各工艺参数的变化曲线，并根据所述变化曲线获取所述化学膜层的折射率最大点对应的各个工艺参数的数值；

将所述数值作为膜层沉积系统沉积所述化学膜层时的工艺参数。

本发明实施例还提供一种碲镉汞钝化膜层工艺参数确定装置，包括：

变量模块，用于分别将膜层沉积系统的各工艺参数作为唯一变量，在衬底溅射一层或多层化学膜层；

折射率计算模块，用于对所述化学膜层进行折射率测试，获取所述化学膜层的折射率随各工艺参数的变化曲线，并根据所述变化曲线获取所述化学膜层的折射率最大点对应的各个工艺参数的数值；

设置模块，用于将所述数值作为膜层沉积系统沉积所述化学膜层时的工艺参数。

采用本发明实施例，通过折射率对钝化膜层的评价，确认磁控溅射系统沉积膜层的工艺参数，提高了钝化膜层的致密度，降低了碲镉汞红外探测器的表面漏电。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1是本发明实施例的碲镉汞钝化膜层工艺参数确定方法的示意图；

图2是本发明实施例的碲镉汞材料表面钝化层折射率测试的示意图；

图3是本发明实施例的CdTe膜层折射率对溅射功率变化的示意图；

图4是本发明实施例的CdTe膜层折射率对工艺压强变化的示意图；

图5是本发明实施例的碲镉汞钝化膜层工艺参数确定装置的示意图。

具体实施方式