[发明专利]红外探测器读出电路铟凸点制备方法有效
| 申请号： | 201910929868.2 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660690B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张轶;刘世光;孙浩;刘震宇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L31/101 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 秦莹 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外探测器读出电路铟凸点制备方法，所述方法包括：通过光刻工艺将读出电路的不需要制备铟凸点的部位覆盖光刻胶；通过热蒸发工艺将金属铟按所需厚度蒸镀在带有光刻胶的读出电路表面；通过光刻工艺将读出电路需要制备铟凸点的部位覆盖光刻胶；通过离子刻蚀工艺，将铟金属层及读出电路保持预定温度条件应用氩离子对其进行刻蚀，去除未受光刻胶保护的金属铟；去除读出电路上的光刻胶，并使金属铟收缩成球形即完成读出电路铟凸点制备。 | ||
| 搜索关键词： | 红外探测器 读出 电路 铟凸点 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种红外探测器读出电路铟凸点制备方法，其特征在于，包括：/n通过光刻工艺将读出电路的不需要制备铟凸点的部位覆盖光刻胶；/n通过热蒸发工艺将金属铟按所需厚度蒸镀在带有光刻胶的读出电路表面；/n通过光刻工艺将读出电路需要制备铟凸点的部位覆盖光刻胶；/n通过离子刻蚀工艺，将铟金属层及读出电路保持预定温度条件应用氩离子对其进行刻蚀，去除未受光刻胶保护的金属铟；/n去除读出电路上的光刻胶，并使金属铟收缩成球形即完成读出电路铟凸点制备。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
