[发明专利]红外探测器读出电路铟凸点制备方法

说明书

本发明公开了一种红外探测器读出电路铟凸点制备方法，所述方法包括：通过光刻工艺将读出电路的不需要制备铟凸点的部位覆盖光刻胶；通过热蒸发工艺将金属铟按所需厚度蒸镀在带有光刻胶的读出电路表面；通过光刻工艺将读出电路需要制备铟凸点的部位覆盖光刻胶；通过离子刻蚀工艺，将铟金属层及读出电路保持预定温度条件应用氩离子对其进行刻蚀，去除未受光刻胶保护的金属铟；去除读出电路上的光刻胶，并使金属铟收缩成球形即完成读出电路铟凸点制备。

技术领域

本发明涉及微电子工艺中半导体电路加工技术领域，尤其涉及一种红外探测器读出电路铟凸点制备方法。

背景技术

红外焦平面探测技术具有光谱响应波段宽、可获得更多地面目标信息、能昼夜工作等显著优点，广泛应用于预警探测、情报侦察、毁伤效果评估以及农牧业、森林资源的调查、开发和管理、气象预报、地热分布、地震、火山活动，太空天文探测等领域。

碲镉汞红外探测器是红外探测技术的代表产品之一。伴随技术的进步，碲镉汞红外探测器的面阵规模不断发展，像元中心间距不断减小。如图1所示，碲镉汞红外探测器是由碲镉汞芯片与Si基读出电路互连制备而成，因此需要在读出电路表面对应每个像元制备用于互连及电学连接的金属铟凸点。由于像元中心间距不断减小，传统通过剥离制备铟凸点的方法，已经不能制备出高均匀性且高度满足需求的铟凸点。小像元中心间距条件下读出电路铟凸点加工是制备大面阵红外探测器的主要技术困难。

发明内容

本发明实施例提供一种红外探测器读出电路铟凸点制备方法，用以解决现有技术中的上述问题。

本发明实施例提供一种红外探测器读出电路铟凸点制备方法，包括：

通过光刻工艺将读出电路的不需要制备铟凸点的部位覆盖光刻胶；

通过热蒸发工艺将金属铟按所需厚度蒸镀在带有光刻胶的读出电路表面；

通过光刻工艺将读出电路需要制备铟凸点的部位覆盖光刻胶；

通过离子刻蚀工艺，将铟金属层及读出电路保持预定温度条件应用氩离子对其进行刻蚀，去除未受光刻胶保护的金属铟；

去除读出电路上的光刻胶，并使金属铟收缩成球形即完成读出电路铟凸点制备。

采用本发明实施例，通过光刻和离子刻蚀工艺，将金属铟刻蚀成所需的小中心间距铟凸点。可以在不影响读出电路性能的前提下，制备出高均匀性且高度满足需求的铟凸点。降低大面阵红外探测器的制备难度。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1是现有技术中的碲镉汞红外探测器示意图；

图2是本发明实施例的红外探测器读出电路铟凸点制备方法的流程图；

图3是本发明实施例的10μm像元中心间距高度为6微米的铟凸点的示意图；

图4是本发明实施例的通过步骤1所得到结构的示意图；

图5是本发明实施例的通过步骤2所得到结构的示意图；

图6是本发明实施例的通过步骤3所得到的结构的示意图；

图7是本发明实施例的步骤4执行的示意图；

图8是本发明实施例的通过步骤4所得到结构的示意图；