[发明专利]一种晶圆的处理方法和处理装置在审
申请号: | 201910924982.6 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN110571137A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 白宗权 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种晶圆的处理方法和处理装置,处理方法包括以下步骤:晶圆抛光之后,在晶圆装入晶圆运输盒之前,清洗晶圆。根据本发明实施例的晶圆的处理方法,晶圆抛光之后,在晶圆装入晶圆运输盒之前清洗所述晶圆,避免了由于不能及时清洗晶圆表面,晶圆装入晶圆运输盒中时容易造成浆料沉积在晶圆表面的问题,避免杂质含量不同的晶圆之间交叉污染,同时避免晶圆背面的污染物会污染晶圆的正面,避免晶圆转移过程中的污染问题,提高晶圆的加工处理质量。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 运输盒 装入 清洗 晶圆表面 晶圆抛光 处理装置 浆料沉积 交叉污染 污染问题 种晶 污染物 污染 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆的处理方法,其特征在于,包括以下步骤:/n晶圆抛光之后,在晶圆装入晶圆运输盒之前,清洗所述晶圆。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司,未经西安奕斯伟硅片技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910924982.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造