[发明专利]一种晶圆的处理方法和处理装置

说明书

本发明提供一种晶圆的处理方法和处理装置，处理方法包括以下步骤：晶圆抛光之后，在晶圆装入晶圆运输盒之前，清洗晶圆。根据本发明实施例的晶圆的处理方法，晶圆抛光之后，在晶圆装入晶圆运输盒之前清洗所述晶圆，避免了由于不能及时清洗晶圆表面，晶圆装入晶圆运输盒中时容易造成浆料沉积在晶圆表面的问题，避免杂质含量不同的晶圆之间交叉污染，同时避免晶圆背面的污染物会污染晶圆的正面，避免晶圆转移过程中的污染问题，提高晶圆的加工处理质量。

技术领域

本发明涉及晶圆加工领域，具体涉及一种晶圆的处理方法和处理装置。

背景技术

现阶段，在精抛光完成后，硅片表面残留许多污染物，如抛光液、颗粒和表面金属等，通常在精抛光阶段，完成多次抛光后的硅片会直接转移至片盒中，卸载区的片盒，可以容纳多片硅片(目前通常为13片或者25片两种规格)，在加工过程中，需要等待片盒装满硅片后，才通过卡车将片盒运送到后续工艺段，这种方式不能及时清洗硅片表面，容易造成浆料沉积在硅片表面，从第1片硅片到装满片盒的等待过程中，除了杂质含量不同的硅片之间会交叉污染，同时硅片背面的污染物会污染硅片的正面等问题，从而硅片表面污染加剧。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种晶圆的处理方法和处理装置，用以解决由于不能及时清洗晶圆表面，晶圆装入晶圆运输盒中时容易造成浆料沉积在晶圆表面的问题，杂质含量不同的晶圆之间交叉污染的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

根据本发明第一方面实施例的晶圆的处理方法，包括以下步骤：

晶圆抛光之后，在晶圆装入晶圆运输盒之前，清洗所述晶圆。

其中，所述处理方法还包括：

清洗所述晶圆之前，对所述晶圆抛光至少一次。

其中，清洗所述晶圆包括：

将晶圆的边缘置于驱动轮上的导向槽中以通过所述驱动轮驱动所述晶圆旋转；

分别向所述晶圆的上表面的中心和下表面的中心喷洒清洗液。

其中，所述清洗液中包括氟化氢和/或表面活性剂。

其中，在清洗所述晶圆之后，还包括：

将所述晶圆装入晶圆运输盒中。

其中，所述晶圆运输盒中充有含氧化性组分的气体以氧化所述晶圆的表面。

根据本发明第二方面实施例的晶圆处理装置包括：

承载结构，用于承载待处理的晶圆；

抛光结构，用于抛光所述晶圆；

清洗结构，用于在所述晶圆装入晶圆运输盒之前清洗抛光后的所述晶圆。

其中，所述清洗结构包括：

驱动轮，所述驱动轮上形成有沿其周向延伸的导向槽，所述晶圆的边缘能够置于所述导向槽中以使所述驱动轮驱动所述晶圆旋转；

喷洒结构，用于分别向所述晶圆的上表面的中心和下表面的中心喷洒清洗液。

其中，所述清洗结构包括：

多个所述驱动轮，所述晶圆的边缘能够分别置于所述驱动轮的所述导向槽中；

至少两个所述喷洒结构，所述晶圆的上方设有至少一个所述喷洒结构以向所述晶圆的上表面的中心喷洒清洗液，所述晶圆的下方设有至少一个所述喷洒结构以向所述晶圆的下表面的中心喷洒清洗液。

其中，所述处理装置还包括：

机械臂，用于在所述承载结构、所述清洗结构和所述晶圆运输盒上装载或卸载晶圆。