[发明专利]一种平面碲镉汞雪崩二极管探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910919549.3 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110660878B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 张智超;喻松林;张轶 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/18 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 吴淑艳 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提出了一种平面碲镉汞雪崩二极管探测器及其制备方法，用以降低平面碲镉汞雪崩二极管探测器柱面结和球面结耗尽区中的电场强度，进而降低相应的隧穿电流，提高雪崩击穿电压，提升线性模式下的增益。所述方法，包括：在碲镉汞表面沉积钝化层；通过常规掺杂对碲镉汞进行P型掺杂；通过常规掺杂在P型碲镉汞材料上进行N型掺杂，形成N |
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| 搜索关键词： | 一种 平面 碲镉汞 雪崩 二极管 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种平面碲镉汞雪崩二极管探测器制备方法，其特征在于，包括：/n在碲镉汞表面沉积钝化层；/n通过常规掺杂对碲镉汞进行P型掺杂；/n通过常规掺杂在P型碲镉汞材料上进行N型掺杂，形成N
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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