[发明专利]一种平面碲镉汞雪崩二极管探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种平面碲镉汞雪崩二极管探测器制备方法，其特征在于，包括：

在碲镉汞表面沉积钝化层；

通过常规掺杂对碲镉汞进行P型掺杂；

通过常规掺杂在P型碲镉汞材料上进行N型掺杂，形成N⁺中心区，高掺杂N⁺保护环和低掺杂N^-区，所述N⁺中心区和所述高掺杂N⁺保护环均位于所述低掺杂N^-区内，且所述高掺杂N⁺保护环外套于所述N⁺中心区；

所述高掺杂N⁺保护环与所述N⁺中心区间隔设置；

生成穿透钝化层的位于高掺杂N+中心区和碲镉汞P型掺杂区的光敏元电极接触孔和公共电极接触孔；

在电极接触孔形成光敏元电极和公共电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高掺杂N⁺保护环由至少一层保护环构成。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述高掺杂N⁺保护环由1～4层保护环构成。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，相邻两层高掺杂N⁺保护环之间的间距为2～8μm。

5.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，最内层高掺杂N⁺保护环与碲镉汞高掺杂N+中心区的间距为2～8μm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在碲镉汞表面沉积钝化层，具体包括：

在碲镉汞表面沉积碲化镉钝化层；或者

在碲镉汞表面依次沉积碲化镉和硫化锌构成钝化层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述碲化镉厚度为30～500nm，所述硫化锌厚度为0～500nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在电极接触孔形成光敏元电极和公共电极，具体包括：

在电极接触孔依次生长铬层和第一金层，形成光敏元电极和公共电极；或者

在电极接触孔依次生长铬层、第一金层、铂层和第二金层，形成光敏元电极和公共电极。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述铬层厚度为10～200nm，所述第一金层厚度为50～500nm，所述铂层厚度为0～500nm，所述金层厚度为0～300nm。

10.一种平面碲镉汞雪崩二极管探测器，其特征在于，所述平面碲镉汞雪崩二极管探测器为利用权利要求1～9任一方法制备的。