[发明专利]半导体存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910917038.8 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN112563208A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 赵哲 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体存储器制备方法，包括：在半导体基底上形成有第一介质层，第一介质层内部形成有位线；开设依次贯穿第一介质层和位线的接触孔，接触孔的内壁和第一介质层的表面形成有第二介质层，接触孔底部的第二介质层与源区接触；利用第一刻蚀剂对第二介质层进行第一步刻蚀，去除位于接触孔底部和第一介质层上表面的第二介质层，保留接触孔侧壁的第二介质层；利用第二刻蚀剂对源区进行第二步刻蚀，通过接触孔刻蚀掉部分源区，第二刻蚀剂对源区和第二介质层的刻蚀选择比大于200:1。通过两步不同的刻蚀，保留侧壁第二介质层的完整且增大源区开口，降低第一导电层与源区的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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