[发明专利]曝光机聚焦点的检测方法有效
| 申请号： | 201910908695.6 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110647015B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 杨要华 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种曝光机聚焦点的检测方法，包括：提供一衬底；在衬底上涂布光刻胶；通过包含辅助图形和掩模图形的掩模板，使用曝光机对光刻胶进行曝光后，对光刻胶进行显影，形成目标图形；对目标图形进行测量，确定曝光机的聚焦点位置。本申请通过在半导体器件的制造过程中，在形成半导体器件的目标图形的光刻步骤中，通过包含辅助图形的掩模板进行光刻，通过对目标图形进行测量，确定光刻步骤中曝光机的聚焦点位置，由于不需要通过复杂的FEM分析的方式对聚焦点位置进行确定，耗时较短，且实现了对曝光机聚焦点的实时监控。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 聚焦 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种曝光机聚焦点的检测方法，其特征在于，所述方法应用于半导体器件的制造工艺中，所述方法包括：/n提供一衬底；/n在所述衬底上涂布光刻胶；/n通过包含辅助图形和掩模图形的掩模板，使用曝光机对所述光刻胶进行曝光后，对所述光刻胶进行显影，形成目标图形，所述目标图形是与所述辅助图形相邻的掩模图形对应的图形；/n对所述目标图形的位置进行测量，确定所述曝光机的聚焦点位置。/n
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