[发明专利]曝光机聚焦点的检测方法

权利要求书

1.一种曝光机聚焦点的检测方法，其特征在于，所述方法应用于半导体器件的制造工艺中，所述方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上涂布光刻胶；

通过包含辅助图形和掩模图形的掩模板，使用曝光机对所述光刻胶进行曝光后，对所述光刻胶进行显影，形成目标图形，所述目标图形是与所述辅助图形相邻的掩模图形对应的图形，所述掩模板包括至少两个所述辅助图形，所述至少两个辅助图形设置于至少一个掩模图形的两侧，设置于同一掩模图形两侧的两个辅助图形呈中心对称，所述辅助图形的线宽小于所述目标图形的线宽；

测量至少两个所述目标图形之间的间距，根据所述间距确定所述曝光机的聚焦点位置，所述间距和所述聚焦点位置呈线性关系。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量所述目标图形之间的间距，包括：

通过扫描电子显微镜测量所述间距。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述间距确定所述曝光机的聚焦点，包括：

根据所述间距，以及所述间距和焦深的对应关系，确定所述曝光机的聚焦点位置。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定所述曝光机的聚焦点之后，还包括：

当所述间距与目标间距的差值大于差值阈值时，根据所述对应关系，对所述曝光机的聚焦点进行调整。

5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述辅助图形的线宽为所述目标图形的线宽的1/3。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述辅助图形包括第一矩形以及位于所述第一矩形一侧，与所述第一矩形连接的至少两个第二矩形，所述第二矩形的宽小于所述第一矩形的宽。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一矩形的宽的取值范围为150纳米至450纳米，所述第二矩形的长的取值范围为150纳米至450纳米。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二矩形之间的间距的取值范围为20纳米至50纳米。