[发明专利]纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构的加工方法有效
| 申请号： | 201910906751.2 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110767801B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 童浩;马平;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 宋敏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构的加工方法，按照工序依次生长下层电极材料层、中间相变材料层、上层电极材料层；加工时，将上层电极材料层和下层电极材料层加工为部分交叠上下电极结构，可进行源漏端交换。对于低阻晶态，通过构造非对称的上下电极结构，相比较于正对垂直电极结构，增大了等效电阻R，减小了工作电流，避免大电流的隧穿，延长器件寿命。同时，非正对面积分量分流了串联通路电流，增大串联过程电流扩散，也使得工作电流减小，工作电流越小，亚稳态的晶相结构越不容易被击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 相变 存储器 单元 垂直 电极 配置 结构 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构的加工方法，其特征在于，所述垂直电极配置结构(100)包括上层电极材料层(120)、中间相变材料层(130)、下层电极材料层(140)，其制造及使用方法包括如下步骤：/nS1、首先经过第一次光刻曝光工序在硅基底上形成下层电极材料层(140)的光刻胶掩膜版图形，以及用于中间相变材料层(130)、上层电极材料层(120)对准的定标图形；/nS2、然后生长下层电极材料层(140)，经过光刻去胶工序去除第一次光刻工序的光刻胶，此时需要沉积一层绝缘介质保护层(150)填充下层电极材料层(140)光刻后形成的侧方空隙；/nS3、在开始中间相变材料层(130)制备前，利用步骤S1中的定标图形，使用第二次光刻曝光工序在下层电极材料层(140)的上表面形成中间相变材料层(130)的光刻胶掩膜版图形；/nS4、然后在下层电极材料层(140)和绝缘介质保护层(150)上生长中间相变材料层(130)，随后经过光刻去胶工序去除第二次光刻工序的光刻胶；/nS5、在开始上层电极材料层(120)制备前，利用步骤S1中的定标图形，使用第三次光刻曝光工序在中间相变材料层(130)的上表面形成上层电极材料层(120)的光刻胶掩膜版图形；/nS6、然后以与下层电极材料层(140)形成非对称上下电极结构的方式，生长上层电极材料层(120)，上下电极结构具有水平投影面积重叠的正对面积分量，也具有投影面积不重叠的非正对面积分量，且正对面积分量全部对应设置有所述中间相变材料层(130)，部分或全部非正对面积分量也对应设置有所述中间相变材料层(130)；随后经过光刻去胶工序去除第三次光刻工序的光刻胶；上层电极材料层(120)和下层电极材料层(140)可进行源漏端交换。/n
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