[发明专利]一种弯管互联金属填充方法在审
| 申请号： | 201910905540.7 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110648962A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 郁发新;冯光建;王永河;马飞;程明芳 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 33283 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种弯管互联金属填充方法，具体包括如下步骤：101)TSV孔制作步骤、102)金属注入步骤、103)填充处理步骤；本发明提供设置避免了金属后续跟载体因为热膨胀效应导致的适配问题的一种弯管互联金属填充方法。 | ||
| 搜索关键词： | 互联金属 弯管 填充 热膨胀效应 金属注入 填充处理 适配 金属 制作 | ||
【主权项】：
1.一种弯管互联金属填充方法，其特征在于：具体包括如下步骤：/n101)TSV孔制作步骤：通过光刻，刻蚀工艺在载板上表面制作TSV孔，TSV孔底部增加侧向刻蚀，使TSV孔底部形成膨胀部分空间，膨胀部分空间整体呈球形；在载板上表面沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化，形成绝缘层；/n102)金属注入步骤：把步骤101)处理的载板放在腔体内加热，并抽气体使TSV孔达到真空状态；其中，腔体加热温度控制在50度到1000度之间；/n将低温熔融金属置于载板上表面，通过压板施加压力，使低温熔融金属进入TSV孔中；冷却腔体，使熔融金属冷却，撤走压板；/n103)填充处理步骤：在步骤102)处理的载板上表面通过CMP工艺去除表面多余金属，完成弯管互联金属的填充。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江集迈科微电子有限公司，未经浙江集迈科微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910905540.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其形成方法
- 下一篇：一种硅通孔互连结构的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
