[发明专利]晶体管、晶体管的制造方法、及使用该晶体管的显示装置在审

专利信息
申请号: 201910900911.2 申请日: 2019-09-23
公开(公告)号: CN110957372A 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 田中荣 申请(专利权)人: 三国电子有限会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 代理人: 石伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的晶体管具有:氧化物半导体层,其配置在衬底上,且包含靠近衬底的第1区域、及配置在所述第1区域的和所述衬底侧相反的面上且载流子浓度低于所述第1区域的第2区域;第1栅极电极,其具有和所述氧化物半导体层重叠的区域,且配置在所述氧化物半导体层的和所述衬底侧相反的面上;第1绝缘层,其位于所述第1栅极电极和所述氧化物半导体层之间;以及第1氧化物导电层及第2氧化物导电层,它们配置在所述氧化物半导体层和所述衬底之间,且包含和所述氧化物半导体层相接的区域。
搜索关键词: 晶体管 制造 方法 使用 显示装置
【主权项】:
暂无信息
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