[发明专利]晶体管、晶体管的制造方法、及使用该晶体管的显示装置

权利要求书

1.一种晶体管，其包含：

氧化物半导体层，其配置在衬底上，且包含第1区域和第2区域；

第1栅极电极，其具有和所述氧化物半导体层重叠的区域，且配置在所述氧化物半导体层的和所述衬底侧相反的面上；

第1绝缘层，其位于所述第1栅极电极和所述氧化物半导体层之间；以及

第1氧化物导电层及第2氧化物导电层，它们配置在所述氧化物半导体层和所述衬底之间，且包含和所述氧化物半导体层相接的区域；

所述第1区域和所述第2区域具有重叠的区域，所述第1区域配置在所述衬底侧，所述第2区域配置在和所述衬底相反一侧；且

所述第2区域的载流子浓度低于所述第1区域。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

所述第1氧化物导电层及所述第2氧化物导电层，和所述氧化物半导体层的所述第1区域相接。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其还具有：

第2绝缘层，其位于所述衬底和所述氧化物半导体层之间；以及

第2栅极电极，其具有和所述氧化物半导体层及所述第1栅极电极重叠的区域，且配置在所述第2绝缘层和所述衬底之间。

4.根据权利要求3所述的晶体管，其中，

所述第1栅极电极的沟道长度方向的宽度大于所述第2栅极电极的沟道长度方向的宽度。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

所述第1氧化物导电层及所述第2氧化物导电层的一端和所述第1栅极电极重叠。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

所述氧化物半导体层中，所述第1区域的导电率高于所述第2区域的导电率。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

所述氧化物半导体层中，所述第1区域的带隙小于所述第2区域的带隙，且所述第1区域的功函数大于所述第2区域的功函数。

8.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

所述氧化物半导体层中，所述第1区域的载流子迁移率大于所述第2区域的载流子迁移率。

9.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

所述氧化物半导体层中，所述第1区域的结晶率小于所述第2区域的结晶率。

10.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

所述氧化物半导体层中，所述第1区域的膜厚大于所述第2区域的膜厚。

11.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

所述第1绝缘层包含和所述氧化物半导体层相接的氮化硅膜、及和所述氮化硅膜相接的氧化硅膜。

12.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

所述第1绝缘层的材料是不含氢的硅系材料。

13.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

所述氧化物半导体层的材料是包含In、Ga、及Sn的氧化物材料。

14.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

所述第1氧化物导电层及所述第2氧化物导电层具有和所述第1栅极电极重叠的区域，

所述第2氧化物导电层至少在和所述第1栅极电极重叠的区域在俯视下具有弯曲成U字状的图案，且

所述第1氧化物导电层在俯视下具有在所述弯曲成U字状的图案的内侧延伸的直线状的图案。