[发明专利]一种栅控PIN结构GaN紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种栅控PIN结构GaN紫外探测器及其制备方法，包括：1)衬底上依次生长GaN缓冲层和n型掺杂GaN层；2)n型掺杂GaN层上生长本征掺杂GaN层；3)本征掺杂GaN层上生长p型掺杂AlGaN层；4)选择性刻蚀外延层材料形成刻蚀台面和双台阶；5)在台面和双台阶上淀积钝化层；6)刻蚀钝化层形成电极孔，并沉积金属电极。本发明是基于PIN结构，因此能够实现快速、准确、高灵敏度的紫外光探测；其次，通过侧栅结构施加的电压能够抑制或消除AlGaN/GaN异质界面处的二维电子气的影响，形成理想型的PIN结构探测器，可以提高探测器的响应速度、探测率、灵敏度等性能。

主权项

1.一种新型栅控PIN结构GaN紫外探测器制备方法，其特征在于：包括/n1)衬底上依次生长GaN缓冲层和n型掺杂GaN层；/n2)所述n型掺杂GaN层上生长本征掺杂GaN层；/n3)所述本征掺杂GaN层上生长p型掺杂AlGaN层；/n4)刻蚀所述本征掺杂GaN层和p型掺杂AlGaN层形成第一台阶和第二台阶；/n5)在所述第一台阶和所述第二台阶表面沉积钝化层；/n6)刻蚀所述p型掺杂AlGaN层上和所述n型掺杂GaN层上的钝化层形成源极孔和漏极孔；/n7)在所述源极孔和漏极孔分别沉积源电极和漏电极；/n8)在所述本征掺杂GaN层的侧面钝化层上沉积栅电极。/n