[发明专利]一种栅控PIN结构GaN紫外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种栅控PIN结构GaN紫外探测器制备方法，其特征在于：包括

1)衬底上依次生长GaN缓冲层和n型掺杂GaN层；

2)所述n型掺杂GaN层上生长本征掺杂GaN层；

3)所述本征掺杂GaN层上生长p型掺杂AlGaN层；

4)刻蚀所述本征掺杂GaN层和p型掺杂AlGaN层形成第一台阶和第二台阶；

5)在所述第一台阶和所述第二台阶表面沉积钝化层；

6)刻蚀所述p型掺杂AlGaN层上和所述n型掺杂GaN层上的钝化层形成源极孔和漏极孔；

7)在所述源极孔和漏极孔分别沉积源电极和漏电极；

8)在所述本征掺杂GaN层的两个侧面分别沉积第一栅电极和第二栅电极。

2.根据权利要求1所述的GaN紫外探测器制备方法，其特征在于：所述1)中的GaN缓冲层厚度为0.2μm～4μm；所述n型掺杂GaN层厚度为0.25μm～1μm，掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3～5×10¹⁸cm^-3，掺杂元素为硅。

3.根据权利要求1所述的GaN紫外探测器制备方法，其特征在于：所述2)中的本征掺杂GaN层厚度为0.1μm～3μm。

4.根据权利要求1所述的GaN紫外探测器制备方法，其特征在于：所述3)中的p型掺杂AlGaN层厚度为0.1μm～2μm，掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3～5×10¹⁸cm^-3，掺杂元素为镁。

5.根据权利要求1所述的GaN紫外探测器制备方法，其特征在于：所述4)中第一台阶高度小于第二台阶高度。

6.根据权利要求1所述的GaN紫外探测器制备方法，其特征在于：所述4)中第一台阶位于本征掺杂GaN层与p型掺杂AlGaN层的异质界面；所述第一台阶宽度1μm～100μm。

7.根据权利要求1所述的GaN紫外探测器制备方法，其特征在于：所述5)中的钝化层厚度为20nm～200nm；所述钝化层材料为氧化铝。

8.根据权利要求1所述的GaN紫外探测器制备方法，其特征在于：所述8)中，栅电极材料选自Au或Ag或Al；所述栅电极厚度为0.2μm～10μm。

9.根据权利要求1-8任一所述方法制得的GaN紫外探测器。