[发明专利]一种纳米晶Al-Zr合金薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910893972.0 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110512181B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张金钰;李光亚;王亚强;吴凯;刘刚;孙军 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/16 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种纳米晶Al‑Zr合金薄膜及其制备方法，通过磁控溅射共溅射沉积法在在洁净的硅基体上沉积制备Al‑Zr合金，通过Ar气电离产生Ar |
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| 搜索关键词： | 一种 纳米 al zr 合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米晶Al-Zr合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1)、对硅基体表面进行超声清洗并烘干，对烘干后的硅基体利用氢氟酸水溶液去除硅基体表面氧化膜；/n步骤2)、真空环境下，在去除氧化膜后的硅基体表面在进行磁控溅射共溅射沉积得到Al-Zr合金薄膜，其中Al靶采用直流电源，功率为300W，Al靶纯度不小于99.99wt.％；Zr靶采用射频电源，功率为10-200W，Zr靶纯度不小于99.95wt.％；沉积气压0.3-0.4Pa；随炉沉积冷却即可得到Al-Zr合金薄膜。/n
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