[发明专利]一种纳米晶Al-Zr合金薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米晶Al-Zr合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)、对硅基体表面进行超声清洗并烘干，对烘干后的硅基体利用氢氟酸水溶液去除硅基体表面氧化膜；

步骤2)、真空环境下，在去除氧化膜后的硅基体表面在进行磁控溅射共溅射沉积得到Al-Zr合金薄膜，其中Al靶采用直流电源，功率为300W，Al靶纯度不小于99.99wt.％；Zr靶采用射频电源，功率为10-200W，Zr靶纯度不小于99.95wt.％；沉积气压0.3-0.4Pa；随炉沉积冷却即可得到Al-Zr合金薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种纳米晶Al-Zr合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)具体步骤为：对硅基体单面进行抛光处理，然后对硅基体抛光处理后的单面在丙酮和乙醇中分别超声清洗至少10min。

3.根据权利要求1所述的一种纳米晶Al-Zr合金薄膜的制备方法，其特征在于，将烘干后的硅基体浸泡在氢氟酸水溶液中至少5min，浸泡后烘干。

4.根据权利要求3所述的一种纳米晶Al-Zr合金薄膜的制备方法，其特征在于，氢氟酸水溶液浓度为35wt.％-45wt.％。

5.根据权利要求1所述的一种纳米晶Al-Zr合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中真空度在1.0×10^-4Pa以下。

6.根据权利要求1所述的一种纳米晶Al-Zr合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中，磁控溅射共溅射沉积过程中硅基体转速10-20r/min。

7.根据权利要求1所述的一种纳米晶Al-Zr合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中沉积时间9500-12000s。