[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910892241.4 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110943044B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 陈建颖;张哲诚;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包含：提供一结构，具有在基底上方的两个鳍片，鳍片的下部由隔离结构隔开，在鳍片上方的虚设栅极结构，以及位于虚设栅极结构两侧上的鳍片上方的源极/漏极部件；在两个鳍片之间的虚设栅极结构中形成沟槽，其中沟槽的形成移除隔离结构的一部分；在沟槽中形成介电层，其中介电层的底表面在隔离结构的顶表面下方延伸；以及以形成于一鳍片上的一高介电常数金属栅极结构和形成于另一鳍片上的另一高介电常数金属栅极结构取代虚设栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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