[发明专利]半导体结构中氮含量的测量方法及装置在审
| 申请号： | 201910891813.7 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110596157A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 张正飞;魏强民;仝金雨 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;G01N23/20058 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构中氮含量的测量方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括电荷俘获层以及形成于电荷俘获层之上的隧穿层；扫描半导体结构，以获得半导体结构的氮含量电子能量损失图谱；其中，入射电子束在第一采集区域中电荷俘获层的底部形成第一扩展区域，并在与第一采集区域相邻的第二采集区域中电荷俘获层的底部形成第二扩展区域，第一扩展区域与第二扩展区域至少没有重叠；根据氮含量电子能量损失图谱，确定电荷俘获层和隧穿层中的氮含量。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷俘获层 半导体结构 扩展区域 采集区域 电子能量损失 隧穿层 图谱 电子束 扫描半导体 入射 测量 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构中氮含量的测量方法，包括：/n提供半导体结构，所述半导体结构包括电荷俘获层以及形成于所述电荷俘获层之上的隧穿层；/n扫描所述半导体结构，以获得所述半导体结构的氮含量电子能量损失图谱；其中，入射电子束在第一采集区域中电荷俘获层的底部形成第一扩展区域，并在与所述第一采集区域相邻的第二采集区域中电荷俘获层的底部形成第二扩展区域，所述第一扩展区域与所述第二扩展区域至少没有重叠；/n根据所述氮含量电子能量损失图谱，确定所述电荷俘获层和所述隧穿层中的氮含量。/n
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