[发明专利]半导体结构中氮含量的测量方法及装置在审
| 申请号： | 201910891813.7 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110596157A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 张正飞;魏强民;仝金雨 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;G01N23/20058 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电荷俘获层 半导体结构 扩展区域 采集区域 电子能量损失 隧穿层 图谱 电子束 扫描半导体 入射 测量 | ||
1.一种半导体结构中氮含量的测量方法，包括：
提供半导体结构，所述半导体结构包括电荷俘获层以及形成于所述电荷俘获层之上的隧穿层；
扫描所述半导体结构，以获得所述半导体结构的氮含量电子能量损失图谱；其中，入射电子束在第一采集区域中电荷俘获层的底部形成第一扩展区域，并在与所述第一采集区域相邻的第二采集区域中电荷俘获层的底部形成第二扩展区域，所述第一扩展区域与所述第二扩展区域至少没有重叠；
根据所述氮含量电子能量损失图谱，确定所述电荷俘获层和所述隧穿层中的氮含量。
2.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，以固定步长扫描所述半导体结构的所有采集区域。
3.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，从同一端逐行或逐列扫描所述半导体结构。
4.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，以之字形逐行或逐列扫描所述半导体结构。
5.如权利要求3或4所述的测量方法，其特征在于，以固定步长扫描所述半导体结构中同一行或同一列的采集区域。
6.如权利要求3所述的测量方法，其特征在于，以第一固定步长扫描第N行或第N列的采集区域，以第二固定步长扫描第N+1行或第N+1列的采集区域，所述第二固定步长不小于所述第二固定步长，其中，N为正整数。
7.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，读取所述氮含量电子能量损失图谱中氮含量的峰值作为所述电荷俘获层和所述隧穿层中的氮含量。
8.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，读取所述氮含量电子能量损失图谱中氮含量的平均值作为所述电荷俘获层和所述隧穿层中的氮含量。
9.如权利要求2或6任一项所述的测量方法，其特征在于，所述步长为1.22-1.83nm。
10.一种半导体结构中氮含量的测量装置，所述半导体结构包括电荷俘获层以及形成于所述电荷俘获层之上的隧穿层，所述测量装置包括：
透射电子显微镜，适于扫描所述半导体结构，以获得所述半导体结构的氮含量电子能量损失图谱；其中，入射电子束在第一采集区域中电荷俘获层的底部形成第一扩展区域，并在与所述第一采集区域相邻的第二采集区域中电荷俘获层的底部形成第二扩展区域，所述第一扩展区域与所述第二扩展区域至少没有重叠；
平台，适于根据所述氮含量电子能量损失图谱，确定所述电荷俘获层和所述隧穿层中的氮含量。
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