[发明专利]一种(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法有效
| 申请号： | 201910890576.2 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110571310B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王宏兴;刘璋成;赵丹;王娟;邵国庆;易文扬;李奇;王玮;问峰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安维赛恩专利代理事务所(普通合伙) 61257 | 代理人： | 刘春 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法，解决了现有技术中(100)取向n型单晶金刚石欧姆制备难、比接触电阻率大的问题。该形成方法，包含以下步骤：步骤一、对(100)取向的n型单晶金刚石表面进行研磨抛光，以获得光滑表面；步骤二、利用MPCVD方法在所述n型单晶金刚石被研磨的表面生长一层n型单晶金刚石外延薄层，然后采用酸洗或者紫外臭氧处理将所述薄层表面氢终端转变成氧终端，得到样品A；步骤三、将氧化后的样品A置于退火炉中退火，使所述薄层表面的磷析出、碳原子重构，得到高导电金刚石表面；步骤四、在高导电金刚石表面镀上金属电极，置于退火炉中退火，形成欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 100 取向 型单晶 金刚石 电极 欧姆 接触 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法，其特征在于，包含以下步骤：/n步骤一、对(100)取向的n型单晶金刚石(1)表面进行研磨抛光，以获得光滑表面；/n步骤二、利用MPCVD方法在所述n型单晶金刚石(1)被研磨的表面生长一层n型单晶金刚石外延薄层(2)，然后采用酸洗或者紫外臭氧处理将所述薄层表面氢终端转变成氧终端，得到样品A；/n步骤三、将氧化后的样品A置于退火炉中退火，使所述薄层表面的磷析出、碳原子重构，得到高导电金刚石表面；/n步骤四、在高导电金刚石表面镀上金属电极(4)，置于退火炉中退火，形成欧姆接触。/n
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