[发明专利]一种晶圆级真空集成封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201910890161.5 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110606464B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 孙绪燕;曹立强 | 申请（专利权）人： | 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 200000 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级真空集成封装结构，包括：盖帽晶片；第一晶片，所述盖帽晶片通过第一键合焊盘密封键合到所述第一晶片，所述第一晶片包括器件区域；以及第二晶片，所述第一晶片通过第二键合焊盘密封键合到第二晶片，所述第二晶片包括与第一晶片的器件区域正对的空腔、设置在所述空腔内的吸气剂薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 真空 集成 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级真空集成封装结构，包括：/n盖帽晶片；/n第一晶片，所述盖帽晶片通过第一键合焊盘密封键合到所述第一晶片，所述第一晶片包括器件区域；以及/n第二晶片，所述第一晶片通过第二键合焊盘密封键合到第二晶片，所述第二晶片包括与第一晶片的器件区域正对的空腔、设置在所述空腔内的吸气剂薄膜。/n
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