[发明专利]一种晶圆级真空集成封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种晶圆级真空集成封装结构的制造方法，包括：

制备盖帽晶片；

将盖帽晶片键合到第一晶片，所述第一晶片包括器件区域；

制备第二晶片，所述第二晶片包括与第一晶片的器件区域正对的空腔、设置在所述空腔内的吸气剂薄膜；以及

将第一晶片密封键合到第二晶片，

其中制备盖帽晶片包括：

通过光刻工艺在硅晶片上形成图案化光刻胶层；

以图案化光刻胶层作为掩膜对硅晶片进行刻蚀，形成腔体；

将透明盖板覆盖并固定在腔体顶端；

进行热回流，透明盖板软化并向腔体内部凹陷，在与腔体接触的一面形成弧面；

对透明盖板进行减薄和平坦化；

从硅晶片背面去除硅，至少使得腔体底部的硅完全被去除，从而获得顶部具有透镜的硅腔体。

2.如权利要求1所述的晶圆级真空集成封装结构的制造方法，其特征在于，制备盖帽晶片包括：通过湿法刻蚀或激光刻蚀的方法，形成光窗腔体，然后进行光学镀膜，在盖帽晶片的内表面或外表面形成抗反射增透薄膜。

3.如权利要求1所述的晶圆级真空集成封装结构的制造方法，其特征在于，第一晶片和第二晶片的键合采用金属永久键合或者玻璃浆料键合。

4.如权利要求1所述的晶圆级真空集成封装结构的制造方法，其特征在于，制备第二晶片包括：

通过湿法刻蚀或干法刻蚀制备空腔；

在空腔内形成吸气剂薄膜；以及

在第二晶片与第一晶片的键合区域上形成键合材料。