[发明专利]一种基于CMOS管的射频整流器在审
| 申请号： | 201910872283.1 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110535363A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 范世全;袁哲一;耿莉;谢鹰;袁晨曦 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H02M7/217 | 分类号： | H02M7/217 |
| 代理公司： | 61200 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 房鑫<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于CMOS管的射频整流器，包括接地端、控制信号正输入端、控制信号负输入端及若干级基本单元，其中，各基本单元均包括正支路及负支路；正支路包括第一NMOSFET管、第一PMOSFET管、第一输入电容、第一储能电容、第一交流输入端、第一交流输出端、第一直流输入端及第一直流输出端；负支路包括第二NMOSFET管、第二PMOSFET管、第二输入电容、第二储能电容、第二直流输入端、第二交流输入端及第二交流输出端，该整流器的效率及倍压能力较高。 | ||
| 搜索关键词： | 支路 交流输出端 交流输入端 直流输入端 储能电容 基本单元 控制信号 输入电容 整流器 直流输出端 负输入端 正输入端 接地端 倍压 射频 | ||
【主权项】：
1.一种基于CMOS管的射频整流器，其特征在于，包括接地端、控制信号正输入端、控制信号负输入端及若干级基本单元(A)，其中，各基本单元(A)均包括正支路及负支路；/n正支路包括第一NMOSFET管(P1)、第一PMOSFET管(P2)、第一输入电容(C1)、第一储能电容(C2)、第一交流输入端、第一交流输出端、第一直流输入端及第一直流输出端，其中，第一交流输入端经第一输入电容(C1)与第一NMOSFET管(P1)的漏极、第一PMOSFET管(P2)的漏极及第一交流输出端相连接；第一直流输入端与第一储能电容(C2)的一端及第一NMOSFET管(P1)的源极相连接，第一储能电容(C2)的另一端与第一PMOSFET管(P2)的源极及第一直流输出端相连接，控制信号负输入端与第一PMOSFET管(P2)的栅极及第一NMOSFET管(P1)的栅极相连接；/n负支路包括第二NMOSFET管(P4)、第二PMOSFET管(P3)、第二输入电容(C3)、第二储能电容(C4)、第二直流输入端、第二交流输入端及第二交流输出端，其中，第二直流输入端与第二PMOSFET管(P3)的源极及第二储能电容(C4)的一端相连接，第二储能电容(C4)的另一端与第二NMOSFET管(P4)的源极及第二直流输出端相连接，第一交流输入端经第二输入电容(C3)与第二PMOSFET管(P3)的漏极、第二NMOSFET管(P4)的漏极及第二交流输出端相连接，控制信号正输入端与第二NMOSFET管(P4)的栅极及第二PMOSFET管(P3)的栅极相连接；/n第一级基本单元(A)中的第一直流输入端及第二直流输入端与接地端相连接；/n前一级基本单元(A)中的第一交流输出端与后一级基本单元(A)中的第一交流输入端相连接，前一级基本单元(A)中的第二交流输出端与后一级基本单元(A)中的第二交流输入端相连接，前一级基本单元(A)中的第一直流输出端与后一级基本单元(A)中的第一直流输入端相连接，前一级基本单元(A)中的第二直流输出端与后一级基本单元(A)中的第二直流输入端相连接；/n第一级基本单元(A)中的第一交流输入端及第二交流输入端作为射频整流器的交流输入端，最后一级基本单元(A)中的第一直流输出端及第二直流输出端作为射频整流器的直流输出端。/n
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