[发明专利]一种基于CMOS管的射频整流器

权利要求书

1.一种基于CMOS管的射频整流器，其特征在于，包括接地端、控制信号正输入端、控制信号负输入端及若干级基本单元(A)，其中，各基本单元(A)均包括正支路及负支路；

正支路包括第一NMOSFET管(P1)、第一PMOSFET管(P2)、第一输入电容(C1)、第一储能电容(C2)、第一交流输入端、第一交流输出端、第一直流输入端及第一直流输出端，其中，第一交流输入端经第一输入电容(C1)与第一NMOSFET管(P1)的漏极、第一PMOSFET管(P2)的漏极及第一交流输出端相连接；第一直流输入端与第一储能电容(C2)的一端及第一NMOSFET管(P1)的源极相连接，第一储能电容(C2)的另一端与第一PMOSFET管(P2)的源极及第一直流输出端相连接，控制信号负输入端与第一PMOSFET管(P2)的栅极及第一NMOSFET管(P1)的栅极相连接；

负支路包括第二NMOSFET管(P4)、第二PMOSFET管(P3)、第二输入电容(C3)、第二储能电容(C4)、第二直流输入端、第二交流输入端及第二交流输出端，其中，第二直流输入端与第二PMOSFET管(P3)的源极及第二储能电容(C4)的一端相连接，第二储能电容(C4)的另一端与第二NMOSFET管(P4)的源极及第二直流输出端相连接，第一交流输入端经第二输入电容(C3)与第二PMOSFET管(P3)的漏极、第二NMOSFET管(P4)的漏极及第二交流输出端相连接，控制信号正输入端与第二NMOSFET管(P4)的栅极及第二PMOSFET管(P3)的栅极相连接；

第一级基本单元(A)中的第一直流输入端及第二直流输入端与接地端相连接；

前一级基本单元(A)中的第一交流输出端与后一级基本单元(A)中的第一交流输入端相连接，前一级基本单元(A)中的第二交流输出端与后一级基本单元(A)中的第二交流输入端相连接，前一级基本单元(A)中的第一直流输出端与后一级基本单元(A)中的第一直流输入端相连接，前一级基本单元(A)中的第二直流输出端与后一级基本单元(A)中的第二直流输入端相连接；

第一级基本单元(A)中的第一交流输入端及第二交流输入端作为射频整流器的交流输入端，最后一级基本单元(A)中的第一直流输出端及第二直流输出端作为射频整流器的直流输出端。

2.根据权利要求1所述的基于CMOS管的射频整流器，其特征在于，正支路还包括第一高通滤波器及第二高通滤波器，其中，第一高通滤波器包括第一电阻(R1)及第一电容(C5)，第二高通滤波器包括第二电阻(R2)及第二电容(C6)，第一电阻(R1)连接于第一NMOSFET管(P1)的栅极与源极之间，第一电容(C5)连接于第一NMOSFET管(P1)的栅极与控制信号负输入端之间，第二电阻(R2)连接于第一PMOSFET管(P2)的栅极与源极之间，第二电容(C6)连接于PMOSFET管的栅极与控制信号负输入端之间。

3.根据权利要求2所述的基于CMOS管的射频整流器，其特征在于，负支路还包括第三高通滤波器及第四高通滤波器，其中，第三高通滤波器包括第三电阻(R3)及第三电容(C7)，第三高通滤波器包括第四电阻(R4)及第四电容(C8)，第三电阻(R3)连接于第二PMOSFET管(P3)的栅极与源极之间，第三电容(C7)连接于第二NMOSFET管(P4)的栅极与控制信号正输入端之间，第四电阻(R4)连接于第二PMOSFET管(P3)的栅极与源极之间，第四电容(C8)连接于第二PMOSFET管(P3)的栅极与控制信号正输入端之间。