[发明专利]一种引入锂离子增强CsPbI3 有效
| 申请号： | 201910868591.7 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110648900B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 陈海宁;李卫平;刘慧丛;朱立群 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京航智知识产权代理事务所(普通合伙) 11668 | 代理人： | 黄川;史继颖 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种引入锂离子增强CsPbI |
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| 搜索关键词： | 一种 引入 锂离子 增强 cspbi base sub | ||
【主权项】：
1.一种引入锂离子增强CsPbI
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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