[发明专利]提高SiC MOS器件性能的含氧元素的氧化后处理方法有效
| 申请号： | 201910850905.0 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110571140B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 王德君;尹志鹏;杨超;秦福文 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所有限公司 21208 | 代理人： | 王树本;徐雪莲 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明属于SiC MOS器件制造工艺技术领域，一种提高SiC MOS器件性能的含氧元素的氧化后处理方法，包括以下步骤：(1)RCA清洗，(2)干氧氧化，(3)将样品放入等离子体反应室内，(4)等离子体辅助氧化后处理开始，(5)等离子体辅助氧化后处理结束，(6)进行离子注入后退火激活杂质，(7)完成SiC MOSFET的制作。利用ECR微波等离子体对SiC/SiO |
||
| 搜索关键词： | 提高 sic mos 器件 性能 元素 氧化 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高SiC MOS器件性能的含氧元素的氧化后处理方法，包括以下步骤：/n步骤1、RCA清洗，将SiC晶元采用RCA工艺清洗；/n步骤2、干氧氧化，将清洗后的SiC晶元在N
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910850905.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
