[发明专利]可调电容的屏蔽栅MOSFET器件有效
| 申请号： | 201910848429.9 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110890427B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 任敏;骆俊毅;谭键文;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H03K19/00;H03K19/003;H03K19/094 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可调电容的屏蔽栅MOSFET器件，包括第一导电类型重掺杂半导体衬底、金属化漏极电极、第一导电类型轻掺杂半导体外延层、第二导电类型半导体基区、第一导电类型重掺杂半导体源区、第二导电类型重掺杂半导体体区、金属化源极电极、沟槽、栅氧化层、多晶硅栅电极、介质隔离层、绝缘介质隔离层、多晶硅屏蔽栅、介质层，多晶硅屏蔽栅和屏蔽栅电压控制模块相连，屏蔽栅电压控制模块根据不同的应用环境需求，产生输出电压，使得多晶硅屏蔽栅的电位发生变化，从而调整器件的栅漏电容和栅源电容及两者之间的比例，进而控制器件的开关损耗和dv/dt能力。 | ||
| 搜索关键词： | 可调 电容 屏蔽 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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