[发明专利]垂直型恒流二极管及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910844938.4 申请日: 2019-09-07
公开(公告)号: CN110473912A 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 乔明;何林蓉;孟培培;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L21/329;H01L29/861
代理公司: 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 敖欢<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种垂直型恒流二极管及制造方法,包括衬底、第二导电类型第一外延层、第二导电类型第二外延层、第一导电类型阱区、第一导电类型阴极接触区、第二导电类型阴极接触区、第二导电类型沟道注入区、金属前介质、覆盖整个恒流二极管元胞表面的阴极金属接触、位于衬底下表面的阳极金属接触,本发明通过引入低掺杂浓度的第二导电类型第二外延层,降低沟道处掺杂浓度,从而避免恒流二极管在正向工作时提前击穿,提高器件正向击穿电压。
搜索关键词: 导电类型 恒流二极管 外延层 第一导电类型 阴极接触区 导电类型沟道 正向击穿电压 衬底下表面 金属前介质 阳极金属 阴极金属 垂直型 低掺杂 沟道处 注入区 衬底 击穿 元胞 正向 阱区 掺杂 引入 覆盖 制造
【主权项】:
1.一种垂直型恒流二极管,其特征在于:包括衬底(00),位于衬底(00)之上的第二导电类型第一外延层(21),位于第二导电类型第一外延层(21)之上的第二导电类型第二外延层(22),位于第二导电类型第二外延层(22)之中的第一导电类型阱区(11),位于第一导电类型阱区(11)中的第一导电类型阴极接触区(12)和第二导电类型阴极接触区(24),位于第二导电类型阴极接触区(24)和第二导电类型第二外延层(22)之间且嵌入第一导电类型阱区(11)上表面的第二导电类型沟道注入区(23),位于第二导电类型第二外延层(22)和第二导电类型沟道注入区(23)上表面的金属前介质(31),覆盖整个恒流二极管元胞表面的阴极金属接触(42),位于衬底(00)下表面的阳极金属接触(41)。/n
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