[发明专利]垂直型恒流二极管及其制造方法在审

申请号：	201910844938.4	申请日：	2019-09-07
公开（公告）号：	CN110473912A	公开（公告）日：	2019-11-19
发明（设计）人：	乔明;何林蓉;孟培培;张波	申请（专利权）人：	电子科技大学
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L21/329;H01L29/861
代理公司：	51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)	代理人：	敖欢<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址：	611731 四川省成***	国省代码：	四川;51
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摘要：
搜索关键词：	导电类型恒流二极管外延层第一导电类型阴极接触区导电类型沟道正向击穿电压衬底下表面金属前介质阳极金属阴极金属垂直型低掺杂沟道处注入区衬底击穿元胞正向阱区掺杂引入覆盖制造
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【权利要求书】：

1.一种垂直型恒流二极管，其特征在于：包括衬底(00)，位于衬底(00)之上的第二导电类型第一外延层(21)，位于第二导电类型第一外延层(21)之上的第二导电类型第二外延层(22)，位于第二导电类型第二外延层(22)之中的第一导电类型阱区(11)，位于第一导电类型阱区(11)中的第一导电类型阴极接触区(12)和第二导电类型阴极接触区(24)，位于第二导电类型阴极接触区(24)和第二导电类型第二外延层(22)之间且嵌入第一导电类型阱区(11)上表面的第二导电类型沟道注入区(23)，位于第二导电类型第二外延层(22)和第二导电类型沟道注入区(23)上表面的金属前介质(31)，覆盖整个恒流二极管元胞表面的阴极金属接触(42)，位于衬底(00)下表面的阳极金属接触(41)。

2.根据权利要求1所述的垂直型恒流二极管，其特征在于：所述第二导电类型沟道注入区(23)的结深小于第二导电类型阴极接触区(24)的结深。

3.根据权利要求1所述的垂直型恒流二极管，其特征在于：第二导电类型第二外延层(22)的掺杂浓度小于第二导电类型第一外延层(21)的掺杂浓度。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的垂直型恒流二极管，其特征在于：所述衬底(00)为第一导电类型衬底，或第二导电类型衬底。

5.根据权利要求1所述的垂直型恒流二极管，其特征在于：第一导电类型阴极接触区(12)置于第一导电类型阱区(11)内，阴极金属接触(42)伸入到第一导电类型阴极接触区(12)上方并短接第一导电类型阴极接触区(12)与第二导电类型阴极接触区(24)。

6.权利要求1至4任意一项所述垂直型恒流二极管的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤1，采用衬底(00)；

步骤2，外延形成第二导电类型第一外延层(21)和第二导电类型第二外延层(22)；

步骤3，形成第一导电类型阱区(11)前预氧；

步骤4，注入第二导电类型离子后推结，减小第一导电类型阱区(11)之间的JFET电阻；

步骤5，光刻第一导电类型阱区(11)注入窗口，注入第一导电类型离子，扩散形成第一导电类型阱区(11)；

步骤6，在第一导电类型阱区(11)上表面进行第二导电类型杂质调沟注入，形成第二导电类型沟道注入区(23)；

步骤7，第二导电类型阴极接触区(24)注入前预氧，光刻第二导电类型阴极接触区(24)注入窗口，进行第二导电类型杂质注入，经过退火形成第二导电类型阴极接触区(24)；