[发明专利]半导体结构与其制作工艺有效
| 申请号： | 201910844566.5 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110676325B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 欧阳颖洁;夏志良;苏睿;王启光 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L21/336;H10B43/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 董文倩 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体结构与其制作工艺。该半导体结构的制作工艺，包括：形成包括沟道孔的基底结构；在沟道孔中形成预备电荷捕获层；对预备电荷捕获层进行预定处理，使得预备电荷捕获层形成电荷捕获层，电荷捕获层的陷阱密度大于预备电荷捕获层的陷阱密度。上述的制作方法中，首先在沟道中形成预备电荷捕获层，然后对该预备电荷捕获层进行预定处理，预备电荷捕获层中的部分材料形成陷阱，从而使得形成的电荷捕获层中的陷阱数量大于预备电荷捕获层中的陷阱的数量。该制作方法形成电荷捕获层中的陷阱的数量较多，缓解了现有技术中的电荷捕获层中的陷阱的数量较少的问题，保证了器件的内存窗口相对较大，进而保证了器件具有良好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 与其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制作工艺，其特征在于，包括：/n形成基底结构；/n在所述基底结构的至少部分结构上形成预备电荷捕获层；/n对所述预备电荷捕获层进行预定处理，使得预备电荷捕获层形成电荷捕获层，所述电荷捕获层的陷阱密度大于所述预备电荷捕获层的陷阱密度。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910844566.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
