[发明专利]半导体结构与其制作工艺

权利要求书

1.一种半导体结构的制作工艺，其特征在于，包括：

形成基底结构；

在所述基底结构的至少部分结构上形成预备电荷捕获层；

对所述预备电荷捕获层进行预定处理，使得预备电荷捕获层形成电荷捕获层，所述电荷捕获层的陷阱密度大于所述预备电荷捕获层的陷阱密度。

2.根据权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，所述预备电荷捕获层的材料包括基体材料和掺杂材料，所述掺杂材料在所述预定处理的过程中分解为气体或者分解为气体和由至少一种预定元素组成的固体物质，所述预定元素为所述基体材料中的元素。

3.根据权利要求2所述的制作工艺，其特征在于，所述掺杂材料包括臭氧、硅酸和聚乙二醇中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的制作工艺，其特征在于，所述基体材料包括硅氧化合物、硅氮化合物、硅氧氮化合物以及高K介质中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，对所述预备电荷捕获层进行预定处理包括：

对所述预备电荷捕获层进行热处理，和/或对所述预备电荷捕获层进行紫外光处理。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的制作工艺，其特征在于，所述制作工艺还包括：

在所述基底结构上形成电荷阻挡层和电荷隧穿层，其中，所述电荷捕获层位于所述电荷阻挡层与所述电荷隧穿层之间。

7.根据权利要求6所述的制作工艺，其特征在于，所述基底结构包括沟道孔，所述电荷阻挡层、所述电荷捕获层和所述电荷隧穿层依次形成且至少位于所述沟道孔的侧壁和底部。

8.根据权利要求7中所述的制作工艺，其特征在于，形成所述基底结构的过程包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成预备堆叠结构，所述预备堆叠结构包括交替设置的第一绝缘介质层和牺牲层；

在所述预备堆叠结构内形成露出所述衬底的所述沟道孔；

在所述沟道孔中形成外延层，所述外延层穿过最靠近所述衬底的一个所述牺牲层和最靠近衬底的两个所述第一绝缘介质层。

9.根据权利要求8所述的制作工艺，其特征在于，在形成所述电荷捕获层之后，所述制作工艺还包括：

在所述沟道孔的底部的所述电荷阻挡层、所述电荷捕获层和所述电荷隧穿层内形成第一凹槽，所述第一凹槽使得所述外延层的部分表面裸露；

在所述沟道孔内形成被所述电荷隧穿层环绕的沟道层和第二绝缘介质层，所述沟道层环绕所述第二绝缘介质层，所述沟道层和所述第二绝缘介质层的顶表面低于所述沟道孔的开口；

在所述沟道层和所述第二绝缘介质层上形成漏极接触结构，所述漏极接触结构埋入所述沟道孔内。

10.一种半导体结构，特征在于，包括：

基底结构；

电荷捕获层，所述电荷捕获层是预备电荷捕获层经过预定处理形成的，且所述电荷捕获层的陷阱密度大于所述预备电荷捕获层的陷阱密度。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述预备电荷捕获层的材料包括基体材料和掺杂材料，所述掺杂材料在所述预定处理的过程中分解为气体或者分解为气体和由至少一种预定元素组成的固体物质，所述预定元素为所述基体材料中的元素。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂材料包括臭氧、硅酸和聚乙二醇中的至少一种。

13.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述基体材料包括硅氧化合物、硅氮化合物、硅氧氮化合物以及高K介质中的至少一种。

14.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述预定处理包括以下至少之一：热处理、紫外光处理。