[发明专利]槽式湿法刻蚀机台及利用其进行湿法刻蚀的方法在审
| 申请号： | 201910842069.1 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110620066A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 孙兴;王春伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及槽式湿法刻蚀机台及利用其进行湿法刻蚀的方法，涉及半导体集成电路制造设备，在槽式湿法刻蚀作业中，通过承载装置带动晶圆旋转，使晶圆不同边缘位置都均等地通过处理槽内刻蚀速率不同的位置，从而减小处理槽的硬件结构导致的处理槽底部和顶部刻蚀速率差异对晶圆面内均匀性的影响，进而提高槽式湿法刻蚀晶圆面内均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法刻蚀 处理槽 槽式 均匀性 晶圆 刻蚀 圆面 半导体集成电路制造 湿法刻蚀机台 边缘位置 承载装置 速率差异 硬件结构 减小 | ||
【主权项】：
1.一种槽式湿法刻蚀机台，包括：处理槽，处理槽内包括承载装置和喷药液装置，承载装置用于承载多个晶圆，喷药液装置用于向晶圆上喷湿法刻蚀用药液，其中承载装置可旋转，并同时带动晶圆旋转。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
