[发明专利]半导体结构的检测方法及其检测装置有效
| 申请号： | 201910837420.8 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110690133B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 魏强民;卢世峰;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;G06T7/00;G06T7/13 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构的检测方法及其检测装置。该检测方法包括建立扭曲值与至少一个电学性能参数之间的关系对照表；获取透射电子显微镜输出的半导体结构的剖面图像，包括至少一个孔的截面图形，截面图形所在平面垂直于孔的轴向；识别孔的多个边界点，获得多个边界点对应的多个边界坐标；根据多个边界坐标进行椭圆的数值拟合，并获得椭圆的长轴与短轴；计算长轴与短轴的差值，将差值作为孔的扭曲值；以及根据关系对照表和孔的扭曲值，判断孔对应的电学性能参数是否满足合理范围。该检测方法将每个孔的长轴与短轴差值作为孔的扭曲程度的表征参数，从而量化了孔的扭曲程度，最终达到量化分析扭曲程度对电学性能影响的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 检测 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的检测方法，其特征在于，包括：/n建立扭曲值与至少一个电学性能参数之间的关系对照表；/n获取透射电子显微镜输出的所述半导体结构的剖面图像，包括至少一个孔的截面图形，所述截面图形所在平面垂直于所述孔的轴向；/n识别所述孔的多个边界点，获得所述多个边界点对应的多个边界坐标；/n根据所述多个边界坐标进行椭圆的数值拟合，并获得所述椭圆的长轴与短轴；/n计算所述长轴与所述短轴的差值，将所述差值作为所述孔的所述扭曲值；以及/n根据所述关系对照表和所述孔的扭曲值，判断所述孔对应的电学性能参数是否满足合理范围。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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