[发明专利]半导体结构的检测方法及其检测装置

权利要求书

1.一种半导体结构的检测方法，其特征在于，包括：

建立扭曲值与至少一个电学性能参数之间的关系对照表；

获取透射电子显微镜输出的所述半导体结构的剖面图像，包括至少一个孔的截面图形，所述截面图形所在平面垂直于所述孔的轴向；

识别所述孔的多个边界点，获得所述多个边界点对应的多个边界坐标；

根据所述多个边界坐标进行椭圆的数值拟合，并获得所述椭圆的长轴与短轴；

计算所述长轴与所述短轴的差值，将所述差值作为所述孔的所述扭曲值；以及

根据所述关系对照表和所述孔的扭曲值，判断所述孔对应的电学性能参数是否满足合理范围。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，建立所述关系对照表的步骤包括：

测试每个作为样品的所述孔的扭曲值对应的电学性能参数；以及

将所述扭曲值与所述电学性能参数之间的关系以对照图和/或对照表的形式输出。

3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，获得所述多个边界点对应的多个边界坐标的步骤包括：

根据所述剖面图像中各像素的灰度值获得二阶导数处理结果；以及

基于所述二阶导数处理结果获得所述边界上的多个边界坐标。

4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，根据所述剖面图像中各像素的灰度值获得二阶导数处理结果的步骤包括：

根据所述剖面图像的每一行像素的灰度值获得多个单位长度与所述灰度值的函数；以及

对每个所述函数进行二阶导数处理，分别获得每个所述函数的二阶导数，并基于每个所述函数的二阶导数识别每一行像素的边界点。

5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，对每个所述函数进行二阶导数处理之前，根据所述剖面图像中各像素的灰度值获得二阶导数处理结果的步骤还包括对每个所述函数进行高频过滤处理。

6.根据权利要求1-5任一所述的检测方法，其特征在于，还包括根据每个所述孔的轴向方向上的多个扭曲值判断所述孔对应的电学性能参数是否满足合理范围。

7.一种半导体结构的检测装置，其特征在于，包括：

建立模块，用于建立扭曲值与至少一个电学性能参数之间的关系对照表；

获取模块，用于获取透射电子显微镜输出的所述半导体结构的剖面图像，包括至少一个孔的截面图形，所述截面图形所在平面垂直于所述孔的轴向；

识别模块，用于识别所述孔的多个边界点，获得所述多个边界点对应的多个边界坐标；

拟合模块，用于根据所述多个边界坐标进行椭圆的数值拟合，并获得所述椭圆的长轴与短轴；

计算模块，用于计算所述长轴与所述短轴的差值，将所述差值作为所述孔的所述扭曲值；以及

第一判断模块，用于根据所述关系对照表和所述孔的扭曲值，判断所述孔对应的电学性能参数是否满足合理范围。

8.根据权利要求7所述的检测装置，其特征在于，所述建立模块包括：

样品测试单元，用于测试每个作为样品的所述孔的扭曲值对应的电学性能参数；以及

输出单元，用于将所述扭曲值与所述电学性能参数之间的关系以对照图和/或对照表的形式输出。

9.根据权利要求8所述的检测装置，其特征在于，还包括第二判断模块，用于根据每个所述孔的轴向方向上的多个扭曲值判断所述孔对应的电学性能参数是否满足合理范围。

10.根据权利要求9所述的检测装置，其特征在于，所述识别模块包括：

处理单元，用于根据所述剖面图像中各像素的灰度值获得二阶导数处理结果；以及

坐标转换单元，基于所述二阶导数处理结果获得所述边界上的多个边界点坐标。