[发明专利]半导体结构的边界特征提取方法及其装置在审
| 申请号： | 201910836958.7 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110672645A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 魏强民 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;G01N23/20058;G06K9/46;H01L21/66 |
| 代理公司： | 11449 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡纯;刘静 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构的边界特征提取方法及其装置。该测量方法获取透射电子显微镜输出的半导体结构的剖面图像，剖面图像包括至少一个图形；以及根据剖面图像识别图形的边界，其中，识别图形的边界的步骤包括：根据剖面图像中各像素的灰度值获得二阶导数处理结果，并基于二阶导数处理结果获得边界上的多个边界点坐标。通过获取透射电子显微镜输出的半导体结构的剖面图像，并对该剖面图像进行二阶导数处理，从而获得了清晰的图形边界，为之后对半导体结构进行高精度测量提供了保障。 | ||
| 搜索关键词： | 剖面图像 半导体结构 二阶导数处理 透射电子显微镜 边界特征提取 高精度测量 结果获得 图形边界 输出 边界点 灰度 像素 测量 清晰 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的边界特征提取方法，其特征在于，包括：/n获取透射电子显微镜输出的所述半导体结构的剖面图像，所述剖面图像包括至少一个图形；以及/n根据所述剖面图像识别所述图形的边界，/n其中，识别所述图形的边界的步骤包括：根据所述剖面图像中各像素的灰度值获得二阶导数处理结果，并基于所述二阶导数处理结果获得所述边界上的多个边界点坐标。/n
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