[发明专利]用于薄膜砷化镓太阳电池复合结构材料衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201910831445.7 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110634992B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 姜明序;姚立勇;呼文韬;杨亦桐;孙强 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/048;H01L31/0392 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 蒙建军 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于薄膜砷化镓太阳电池复合结构材料衬底的制备方法，属于半导体技术领域，其特征在于：包括如下步骤：S1、光刻图形；S2、电沉积；S3、真空封装；具体制造步骤如下：S301、将电沉积图形化衬底、封装胶以及聚酰亚胺薄膜依次叠层放入层压机中；S302、设定层压机程序进行真空封装工艺，真空度不大于1Pa，压力范围为20Pa‑1kPa。温度范围为80℃‑200℃，时间范围为20min‑200min；S303、待程序结束，将产品取出冷却。通过采用上述技术方案，本发明能够使薄膜砷化镓太阳电池实现减轻重量，柔性可弯折的产品特点。使其具有更广泛的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜 砷化镓 太阳电池 复合 结构 材料 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于薄膜砷化镓太阳电池复合结构材料衬底的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：/nS1、光刻图形：/n具体制造步骤如下：/nS101将满足要求的外延片放入丙酮中超声清洗5分钟以上，然后冲水甩干；/nS102将清洗完成的外延片放入涂胶机台，涂覆一层光刻胶，光刻胶的厚度范围是500nm-3000nm；/nS103使用光刻显影工艺制作衬底图形；/nS2、电沉积：/n具体制造步骤如下：/nS201、将光刻好图形的外延片放入电沉积溶液中，分别在铜阳极及外延片上接通正负电极；/nS202、电沉积电流密度为0.2A/dm
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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