[发明专利]用于薄膜砷化镓太阳电池复合结构材料衬底的制备方法

权利要求书

1.一种用于薄膜砷化镓太阳电池复合结构材料衬底的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1、光刻图形：

具体制造步骤如下：

S101将满足要求的外延片放入丙酮中超声清洗5分钟以上，然后冲水甩干；

S102将清洗完成的外延片放入涂胶机台，在种子层上涂覆一层光刻胶，光刻胶的厚度范围是 500nm-3000nm；

S103使用光刻显影工艺制作衬底图形；

S2、电沉积：

具体制造步骤如下：

S201、将光刻好图形的外延片放入电沉积溶液中，分别在铜阳极及外延片上接通正负电极；

S202、电沉积电流密度为0.2A/dm²-10A/dm²；

S203、电沉积时间为5min-20min；

S204、电沉积完成后，用去离子水冲洗5-10次，泡入去胶液中去除光刻胶，然后再用去离子水冲洗5-10次，最后利用甩干机或氮气枪脱水；

S3、真空封装：

具体制造步骤如下：

S301、将电沉积图形化衬底、封装胶以及聚酰亚胺薄膜依次叠层放入层压机中；

S302、设定层压机程序进行真空封装工艺，真空度不大于1Pa，压力范围为20Pa-1kPa，温度范围为80℃-200℃，时间范围为20min-200min；

S303、待程序结束，将产品取出冷却。