[发明专利]一种图像传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910829231.6 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110473889A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 严青松;林率兵 | 申请（专利权）人： | 豪威科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种图像传感器及其制备方法中，所述图像传感器的制备方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有若干沟槽；在所述半导体衬底上形成金属层，所述金属层还填充了所述沟槽；以及刻蚀部分位于所述半导体衬底上的所述金属层，保留所述沟槽中的金属层和所述沟槽正上方的金属层，以得到深沟槽隔离结构，从而形成图像传感器。本发明的图像传感器的制备方法通过三个工艺步骤形成了图像传感器的深沟槽隔离结构，其工艺步骤得到了简化，工艺时间较短，降低了工艺成本。同时，所述金属层没有了现有技术中的介质层的隔离，使得光线无法从深沟槽隔离结构的一侧进入另一侧，从而降低了图像传感器漏光的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 金属层 衬底 深沟槽隔离结构 半导体 制备 工艺步骤 工艺成本 介质层 刻蚀 漏光 填充 隔离 保留 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有若干沟槽；/n在所述半导体衬底上形成金属层，所述金属层还填充了所述沟槽；以及/n刻蚀部分位于所述半导体衬底上的所述金属层，保留所述沟槽中的金属层和所述沟槽正上方的金属层，以得到深沟槽隔离结构，从而形成图像传感器。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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