[发明专利]一种图像传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有若干沟槽；

在所述半导体衬底上形成金属层，所述金属层还填充了所述沟槽；以及

刻蚀部分位于所述半导体衬底上的所述金属层，保留所述沟槽中的金属层和所述沟槽正上方的金属层，以得到深沟槽隔离结构，从而形成图像传感器。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有若干沟槽具体包括以下步骤：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一介质层和图形化的第一光刻胶层，图形化的所述第一光刻胶层在所述沟槽的正上方具有第一开口；

在所述第一开口处，以图形化的所述第一光刻胶层为掩模，依次刻蚀第一介质层和半导体衬底，以形成若干沟槽，所述沟槽贯穿部分厚度的所述半导体衬底；以及

去除剩余的所述第一光刻胶层。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成金属层，所述金属层还填充了所述沟槽具体包括以下步骤：

在所述第一介质层的全局表面、所述沟槽的槽底以及侧壁上形成第二介质层；以及

在所述沟槽中，以及所述第二介质层的全局表面上形成金属层。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料包括钨和/或铜。

5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第二介质层的介电常数小于第一介质层的介电常数。

6.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，刻蚀部分位于所述半导体衬底上的所述金属层，保留所述沟槽中的金属层和所述沟槽正上方的金属层，以得到深沟槽隔离结构，从而形成图像传感器包括以下步骤：

在所述金属层上依次形成硬掩模层和图形化的第二光刻胶层，图形化的所述第二光刻胶层具有第二开口，图形化的所述第二光刻胶层覆盖了所述沟槽正上方的金属层，且所述第二开口暴露出相邻所述沟槽之间位置上方的金属层；以及

在所述第二开口处，以图形化的所述第二光刻胶层为掩模，依次刻蚀所述硬掩模层和金属层，暴露出所述第二介质层，并保留了所述沟槽中的金属层和所述沟槽正上方的金属层，以得到深沟槽隔离结构，从而形成图像传感器。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽正上方的金属层较所述第二介质层高

8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述硬掩模层包括氧化物层，所述硬掩模层的厚度小于

9.一种图像传感器，其特征在于，包括半导体衬底和若干深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构包括形成于所述半导体衬底中的沟槽，及形成于所述沟槽中及所述沟槽正上方的金属层。

10.如权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽正上方的金属层较所述半导体衬底高