[发明专利]一种半导体功率器件在审
| 申请号： | 201910829144.0 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112447822A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 龚轶;刘伟;刘磊;袁愿林 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供的一种半导体功率器件，包括：n型漏区以及位于所述n型漏区之上的n型外延层，所述n型外延层中设有：至少两个第一p型体区，所述第一p型体区内设有n型源区；位于所述第一p型体区下方的p型柱状掺杂区；位于相邻两个所述第一p型体区之间的两个栅极沟槽，该两个栅极沟槽之间设有第二p型体区；所述栅极沟槽内设有栅介质层和栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
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