[发明专利]一种芯片减薄保护方法及其装置在审
| 申请号： | 201910816121.6 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110690142A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 张帅;张乐银;刘阳;包星晨;张伟 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 34113 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233030 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种芯片减薄保护方法及其装置，它包括芯片减薄保护装置，在芯片减薄保护装置内放置腐蚀液，而后将需要减薄的芯片浸入腐蚀液中进行减薄。本发明具有芯片减薄步骤简单，操作方便、芯片减薄时对芯片保护效果好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片减薄 保护装置 腐蚀液 减薄 浸入 芯片保护 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种芯片减薄保护装置，其特征在于：它包括腐蚀槽（1），在腐蚀槽（1），设置一个腐蚀杆（2），在腐蚀杆（2）一端设有与腐蚀槽（1）对应配合的承片台（2a）。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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