[发明专利]一种芯片减薄保护方法及其装置

说明书

本发明提供一种芯片减薄保护方法及其装置，它包括芯片减薄保护装置，在芯片减薄保护装置内放置腐蚀液，而后将需要减薄的芯片浸入腐蚀液中进行减薄。本发明具有芯片减薄步骤简单，操作方便、芯片减薄时对芯片保护效果好等优点。

技术领域：

本发明涉及电子制造技术领域，具体地说就是一种针对微小（超小）芯片的减薄保护方法及其装置。

背景技术：

在集成电路中，由于硅基材料及互联金属层存在电阻，在电流的作用下，芯片要产生发热现象。而在芯片工作的过程中，由于部分热量的产生，使得芯片背面产生内应力。芯片热量逐渐升高，基体层之间的热差异性加剧，这无疑加大了芯片的内应力，较大的内应力使芯片产生破裂。因此，在集成电路制备生产过程中，现有减薄工艺一般针对整个晶圆，其可通过磨削法，研磨法，化学机械抛光法，干式抛光法等，减薄技术已经成熟，但对于芯片级尺寸的半导体芯片，其减薄工艺相对不成熟。目前国内现有技术减薄过程中需对晶圆正面保护的方法采用蓝膜、涂光刻胶或专用热剥离膜，不但工艺加工复杂，需购置新的研磨机器，而且容易造成硅基内部损伤等问题。

发明内容：

本发明就是为了克服现有技术中的不足，提供一种芯片减薄保护方法及其装置。

本申请提供以下技术方案：

一种芯片减薄保护装置，其特征在于：它包括腐蚀槽，在腐蚀槽，设置一个腐蚀杆，在腐蚀杆一端设有与腐蚀槽对应配合的承片台。

在上述技术方案的基础上，还可以有以下进一步的技术方案：

在腐蚀杆另一端的端部设有一个圆台，所述的圆台为圆形与腐蚀杆同轴分布。

所述的腐蚀槽为圆柱形，在腐蚀槽下端设有径向伸出的扩大部，在腐蚀槽上端端部套接有限位台，在限位台与扩大部之间的腐蚀槽外壁上套接有滑板，在滑板一侧延伸出手柄。

一种芯片减薄保护方法，其特征在于：它包括以下步骤：

步骤1：将蜂蜡进行加热融化；

步骤2：融化后的蜂蜡涂抹在承片台上，而后将芯片正面向下放置在蜂蜡上；

步骤3：一边对刮刀进行边烘烤加热，一边用刮刀修整芯片四周蜂蜡，使得蜂蜡包裹芯片一圈的厚度端面，从而对芯片进行封边保护；

步骤4：封边结束待蜂蜡冷却凝固后，使用显微镜下检查，确保封边完整合格；

步骤5：按照腐蚀速率计算出腐蚀时间，将封边合格芯片放入腐蚀槽内，浸入配比好的腐蚀溶液HF:HNO3:CH3COOH (质量比为1:5:1)中，进行腐蚀减薄；

步骤6：腐蚀完成后取出承片台，并对其进行冲水清洗，而后利用甲苯溶液加热去除承片台上的蜂蜡，将芯片与承片台分离，分离后的芯片再使用丙酮冲洗干净，显微镜下观察腐蚀后表面状态；

步骤7：使用高度规对芯片进行检测减薄厚度。

发明优点：

本发明具有芯片减薄步骤简单，操作方便、通过利用蜂蜡对芯片四周保护进行湿法腐蚀减薄工艺，解决了无法使用湿法腐蚀技术对微小（超小）芯片背面硅膜减薄制备工艺的问题，且实施效果较好，降低碎片几率，实施成本较低，减薄控制精度高等优点。

附图说明：

图1是本发明中腐蚀槽的结构示意图；

图2是本发明中腐蚀杆的结构示意图；

图3是将芯片放置到承片台上的示意图。

具体实施方式：

如图1-3所示，一种芯片减薄保护装置，它包括腐蚀槽1，所述的腐蚀槽1为圆柱形，在腐蚀槽1下端设有径向伸出槽壁的圆形的扩大部1a。