[发明专利]一种直写式光刻机拼接方法在审
| 申请号： | 201910815602.5 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110531590A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 赵美云 | 申请（专利权）人： | 合肥芯碁微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 34115 合肥天明专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 奚华保<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直写式光刻机拼接方法，属于半导体光刻机图形图像处理、拼接技术领域，包括在曝光前，设定曝光模式为N行M列DMD同时曝光模式；将光刻版图划分为与N行M列DMD对应的N×M个高度的曝光区，且满足相邻行DMD对应的曝光区域之间的重叠区域为d纳米；利用各DMD进行曝光处理，并对所有输出的曝光图形进行直写式光刻数据的处理，得到灰度叠加数据；将每个DMD与直写式精密平台进行匹配，直写式精密平台利用光学成像原理，进行灰度的拼接，将光刻版图呈现在曝光的基底上。本发明采用N行M列DMD同时曝光，并通过灰度图的拼接提升拼接精度，达到光刻图形分段曝光的可能性，提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 拼接 光刻 直写 曝光 精密平台 曝光模式 灰度 半导体光刻机 光学成像原理 图形图像处理 直写式光刻机 叠加数据 光刻图形 曝光处理 曝光区域 曝光图形 重叠区域 灰度图 曝光区 相邻行 产能 基底 分段 匹配 输出 | ||
【主权项】：
1.一种直写式光刻机拼接方法，其特征在于，包括：/n在曝光前，设定曝光模式为N行M列DMD同时曝光模式，其中M、N均为自然数且M＞0，N＞1；/n对每个DMD的中心位置进行标定，得到每个DMD相对于坐标原点的位置信息；/n根据每个DMD的位置信息，将光刻版图划分为与N行M列DMD对应的N×M个高度的曝光区，且满足相邻行DMD对应的曝光区域之间的重叠区域高度为d纳米，d为自然数且d＞0；/n利用各DMD进行曝光处理，输出对应的光刻版图曝光图形，并对所有输出的曝光图形进行直写式光刻数据的处理，得到灰度叠加数据；/n将每个DMD与直写式精密平台进行匹配，直写式精密平台利用光学成像原理，进行灰度的拼接，将光刻版图呈现在曝光的基底上。/n
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