[发明专利]一种直写式光刻机拼接方法在审
申请号: | 201910815602.5 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN110531590A | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 赵美云 | 申请(专利权)人: | 合肥芯碁微电子装备有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 34115 合肥天明专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 奚华保<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 230088 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 拼接 光刻 直写 曝光 精密平台 曝光模式 灰度 半导体光刻机 光学成像原理 图形图像处理 直写式光刻机 叠加数据 光刻图形 曝光处理 曝光区域 曝光图形 重叠区域 灰度图 曝光区 相邻行 产能 基底 分段 匹配 输出 | ||
1.一种直写式光刻机拼接方法,其特征在于,包括:
在曝光前,设定曝光模式为N行M列DMD同时曝光模式,其中M、N均为自然数且M>0,N>1;
对每个DMD的中心位置进行标定,得到每个DMD相对于坐标原点的位置信息;
根据每个DMD的位置信息,将光刻版图划分为与N行M列DMD对应的N×M个高度的曝光区,且满足相邻行DMD对应的曝光区域之间的重叠区域高度为d纳米,d为自然数且d>0;
利用各DMD进行曝光处理,输出对应的光刻版图曝光图形,并对所有输出的曝光图形进行直写式光刻数据的处理,得到灰度叠加数据;
将每个DMD与直写式精密平台进行匹配,直写式精密平台利用光学成像原理,进行灰度的拼接,将光刻版图呈现在曝光的基底上。
2.如权利要求1所述的直写式光刻机拼接方法,其特征在于,所述在N行DMD对应的曝光区域中,首行和尾行的DMD对应的曝光区域叠加d纳米光刻版图,中间行的DMD对应的曝光区域前后均需叠加d纳米光刻版图。
3.如权利要求1所述的直写式光刻机拼接方法,其特征在于,所述利用各DMD进行曝光处理,输出对应的光刻版图曝光图形,并对所有输出的曝光图形进行直写式光刻数据的处理,得到灰度叠加数据,包括:
利用各DMD进行曝光处理,得到曝光图形后,按照设定的灰度产生规则,对所有输出的曝光图形进行直写式光刻数据的处理,生成每行DMD所在曝光区域的重叠区域的灰度;
根据每行DMD所在曝光区域中重叠区域的灰度和光刻系统当前灰度,得到每行中DMD输出的曝光图形的灰度叠加数据。
4.如权利要求3所述的直写式光刻机拼接方法,其特征在于,所述中间行DMD所在曝光区域内存在两个重叠区域,对应的灰度分别为U1和U2,首行和尾行DMD所在曝光区域内存在一个重叠区域,对应的灰度分别为U1和U2,其中首行中每个DMD产生的曝光图形的灰度为U+U1,尾行中每个DMD产生的曝光图形的灰度为U+U2,中间行中每个DMD产生的曝光图形的灰度为U1+U+U2,U1+U2=U,U为光刻系统当前灰度。
5.如权利要求3所述的直写式光刻机拼接方法,其特征在于,光刻系统当前灰度U为根据直写式光刻数据在DMD上进行能量叠加得到,光刻系统当前灰度U=DMD使用行数/数据重组因子G,其中数据重组因子G为非0的自然数。
6.如权利要求3所述的直写式光刻机拼接方法,其特征在于,所述按照设定的灰度产生规则,生成每行DMD所在曝光区域的重叠区域的灰度,具体为:
按照灰度递减模式,生成每行DMD所在曝光区域的重叠区域的灰度。
7.如权利要求1-6任一所述的直写式光刻机拼接方法,其特征在于,所述每行DMD所在曝光区域的重叠区域的尺寸相同或不相同。
8.如权利要求5所述的直写式光刻机拼接方法,其特征在于,所述直写式光刻数据在DMD上进行能量叠加,得到是1阶或多阶图形数据。
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