[发明专利]一种直写式光刻机拼接方法在审

专利信息
申请号: 201910815602.5 申请日: 2019-08-30
公开(公告)号: CN110531590A 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 赵美云 申请(专利权)人: 合肥芯碁微电子装备有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 34115 合肥天明专利事务所(普通合伙) 代理人: 奚华保<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 230088 安徽省合肥市高新区*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 拼接 光刻 直写 曝光 精密平台 曝光模式 灰度 半导体光刻机 光学成像原理 图形图像处理 直写式光刻机 叠加数据 光刻图形 曝光处理 曝光区域 曝光图形 重叠区域 灰度图 曝光区 相邻行 产能 基底 分段 匹配 输出
【权利要求书】:

1.一种直写式光刻机拼接方法,其特征在于,包括:

在曝光前,设定曝光模式为N行M列DMD同时曝光模式,其中M、N均为自然数且M>0,N>1;

对每个DMD的中心位置进行标定,得到每个DMD相对于坐标原点的位置信息;

根据每个DMD的位置信息,将光刻版图划分为与N行M列DMD对应的N×M个高度的曝光区,且满足相邻行DMD对应的曝光区域之间的重叠区域高度为d纳米,d为自然数且d>0;

利用各DMD进行曝光处理,输出对应的光刻版图曝光图形,并对所有输出的曝光图形进行直写式光刻数据的处理,得到灰度叠加数据;

将每个DMD与直写式精密平台进行匹配,直写式精密平台利用光学成像原理,进行灰度的拼接,将光刻版图呈现在曝光的基底上。

2.如权利要求1所述的直写式光刻机拼接方法,其特征在于,所述在N行DMD对应的曝光区域中,首行和尾行的DMD对应的曝光区域叠加d纳米光刻版图,中间行的DMD对应的曝光区域前后均需叠加d纳米光刻版图。

3.如权利要求1所述的直写式光刻机拼接方法,其特征在于,所述利用各DMD进行曝光处理,输出对应的光刻版图曝光图形,并对所有输出的曝光图形进行直写式光刻数据的处理,得到灰度叠加数据,包括:

利用各DMD进行曝光处理,得到曝光图形后,按照设定的灰度产生规则,对所有输出的曝光图形进行直写式光刻数据的处理,生成每行DMD所在曝光区域的重叠区域的灰度;

根据每行DMD所在曝光区域中重叠区域的灰度和光刻系统当前灰度,得到每行中DMD输出的曝光图形的灰度叠加数据。

4.如权利要求3所述的直写式光刻机拼接方法,其特征在于,所述中间行DMD所在曝光区域内存在两个重叠区域,对应的灰度分别为U1和U2,首行和尾行DMD所在曝光区域内存在一个重叠区域,对应的灰度分别为U1和U2,其中首行中每个DMD产生的曝光图形的灰度为U+U1,尾行中每个DMD产生的曝光图形的灰度为U+U2,中间行中每个DMD产生的曝光图形的灰度为U1+U+U2,U1+U2=U,U为光刻系统当前灰度。

5.如权利要求3所述的直写式光刻机拼接方法,其特征在于,光刻系统当前灰度U为根据直写式光刻数据在DMD上进行能量叠加得到,光刻系统当前灰度U=DMD使用行数/数据重组因子G,其中数据重组因子G为非0的自然数。

6.如权利要求3所述的直写式光刻机拼接方法,其特征在于,所述按照设定的灰度产生规则,生成每行DMD所在曝光区域的重叠区域的灰度,具体为:

按照灰度递减模式,生成每行DMD所在曝光区域的重叠区域的灰度。

7.如权利要求1-6任一所述的直写式光刻机拼接方法,其特征在于,所述每行DMD所在曝光区域的重叠区域的尺寸相同或不相同。

8.如权利要求5所述的直写式光刻机拼接方法,其特征在于,所述直写式光刻数据在DMD上进行能量叠加,得到是1阶或多阶图形数据。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥芯碁微电子装备有限公司,未经合肥芯碁微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910815602.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top